肖特基二极管例题以下那种二极管, 适合小电压大电流整流(A)A、肖特基B、超快速恢复C、快速恢复D、普通肖特基二极管特点极低的正向导通压降 (V F V_FVF​)普通硅管的痛点 像 1N4007 这种普通硅二极管正向导通压降通常在 0.7V ~ 1.0V 左右。假设你设计一个输出 3.3V 的低压电源电流经过普通二极管直接被吃掉 0.7V电压损失高达 21%这在低压系统中是不可接受的。肖特基的绝招 肖特基二极管的正向压降极低通常在 0.15V ~ 0.45V 之间。在同样 3.3V 的系统中它只吃掉不到 10% 的电压大大提高了电能的利用率。极低的导通损耗发热公式计算 二极管自身发热的功率损耗公式为P V F × I P V_F \times IPVF​×I。工程实例 假设系统需要输出 10A 的大电流。用普通硅管 (V F 0.8 V V_F 0.8VVF​0.8V)发热功率P 0.8 V × 10 A 8 W P 0.8\text{V} \times 10\text{A} \mathbf{8\text{W}}P0.8V×10A8W。8W 的热量足以把一个小芯片烫毁必须加巨大的散热片。用肖特基管 (V F 0.3 V V_F 0.3VVF​0.3V)发热功率P 0.3 V × 10 A 3 W P 0.3\text{V} \times 10\text{A} \mathbf{3\text{W}}P0.3V×10A3W。发热量骤降一大半极大降低了散热压力。肖特基二极管构成普通二极管是 PN 结P型半导体 N型半导体。肖特基二极管Schottky Barrier Diode, SBD没有 P 型半导体它是用 金属如金、银、钼等和 N 型半导体 直接接触形成的“金属-半导体结”。这种特殊的物理结构带来了它引以为傲的第三个优势近乎为零的反向恢复时间 (t r r t_{rr}trr​)。普通 PN 结在从导通变截止时内部会有“少数载流子存储效应”导致它需要一段时间几百纳秒到几微秒才能完全关断。这在几十 kHz 的高频开关电源中会导致严重的损耗。肖特基是“多数载流子”器件只有电子在跑不存在电荷存储问题。它的恢复时间极快通常在几纳秒级别完美适配高频整流。普通二极管 (Standard Recovery)V F V_FVF​高0.7Vt r r t_{rr}trr​极慢数微秒。只适合 50Hz/60Hz 的市电工频整流绝对不能用于高频大电流。快速恢复二极管 (Fast Recovery) 超快速恢复二极管 (Ultra-Fast Recovery) 它们通过特殊的掺杂工艺极大地缩短了反向恢复时间能胜任高频工作。但是为了换取高速度它们的代价是正向压降V F V_FVF​变得更高往往在 1.0V ~ 1.5V 以上。因此它们适合“高电压、小电流、高频”场景而不是题目要求的“小电压、大电流”。肖特基的致命弱点反向耐压 (V R V_RVR​) 很低 肖特基二极管很难做到高耐压。市面上常见的耐压值通常在 20V ~ 60V 左右最高也很难突破 200V。如果你把肖特基直接接在 220V 的交流电上整流它瞬间就会被击穿炸毁。反向漏电流 (I R I_RIR​) 较大且对温度极度敏感 温度一高漏电流成倍增加漏电流增加又会导致发热极易引发热失控Thermal Runaway烧毁器件。相关参考链接(23 封私信 / 70 条消息) 什么是肖特基二极管肖特基二极管工作原理详解几分钟带你搞定 - 知乎肖特基二极管详解原理、作用、应用与选型要点_schottky diode-CSDN博客