目录一、原理图绘制二、符号图绘制三、仿真原理图绘制四、前仿五、版图绘制六、寄生参数提取七、后仿注相关通用流程见《CMOS反相器的版图绘制与仿真》一文中的对应内容这里不重复一、原理图绘制1、绘制原理图如图1-1注意衬底要接对如图1-2一定要保存并check过再进行下一步图 1-1图 1-22、同时打开inv_018的原理图如图1-3注意两个原理图要有一定距离选中inv_018原理图中的全部内容按c即可将内容复制到nand原理图中这样就可以不修改参数继续使用方便快捷图 1-3二、符号图绘制使用图2-1中工具绘制符号图如图2-2图 2-1图 2-2三、仿真原理图绘制1、绘制仿真原理图如图3-1一个为nand_018对应版图输出一个为nand_018对应原理图输出图 3-12、注意激励设置为图3-2和图3-3这样设置PWM波占空比可以覆盖两输入信号vin1、vin2为00,01,10,11的四种情况仿真充分图 3-2图 3-3四、前仿前仿波形如图4-1可见与非功能已经实现了图 4-1五、版图绘制1、画电源和地和原理图绘制一样在inv_018版图中将版图复制到nand_018中如图5-1所示在M1金属层保留vdd和gnd如图5-2所示图 5-1图 5-22、根据原理图将PMOS管改成两个PMOS管共用源极的结构即将fingers改成2如图 5-3NMOS管改为一个源极接另一个漏极结构如图 5-4最后为图5-5结构图 5-3图 5-4图 5-53、M1层进行连接根据原理图在M1层两个PMOS管的漏极连和一个NMOS管的漏极连接在一起如图5-6图 5-64、栅极连接一个NMOS的栅极和另一个PMOS的栅极连接在一起如图5-7图 5-75、画N阱如图5-8图 5-86、电源和地添加过孔如图5-9图 5-97、添加栅极到M1的过孔如图5-10,然后用P型重掺杂SP覆盖过孔M1_GT如图5-11图 5-10图 5-118、在M1金属层添加标签vdd、gnd、vin1、vin2、Y得到最后的版图如图 5-12图 5-129、DRC验证如图图5-13这些是允许的叉通过DRC图 5-1310、LVS验证出现笑脸则LVS通过没有出现则按条解决图 5-14六、寄生参数提取提取到的寄生参数如图6-1、图6-2和图6-3图 6-1图 6-2图 6-3七、后仿如图7-1、图7-2和图7-3可以看出后仿成功能实现与非功能同时放大局部实际电路和理想电路的差异也体现出来了图 7-1图 7-2图 7-3